Laufzeit: 01.01.2007 - 31.12.2010
Partner: Fiat Italien, Bekaert Belgien, CTI Frankreich, GTP Frankreich, TiT Österreich, Uni Leoben Österreich , CRTH Griechenland, Pyrogenesis Griechenland, Stobbe-Tech Dänemark, Uni-Polito Italien, Johnson-Matthey England,
Förderung durch: 6. Europäisches Forschungsrahmenprogramm
Projektmittel (€): 30300000
Rekristallisiertes Siliciumcarbid(RSiC) ist ein poröser SiC-Werkstoff mit definierter Porengröße und enger Porenverteilung. Hohe Härte, hohe thermische Beständigkeit, hohe chemische Beständigkeit, Halbleitereigenschaften sowie gute Regenerationsverhalten zeichnen das Material aus.
Entwicklung von gestuften Gefügestrukturen:
Durch gestufte Gefügestrukturen sind hohe Fitrationswirkungsgrade bei geringem Druck und Druckverlust möglich.
Wesentliche Vorteile von gestuften Gefügestrukturen sind...Rekristallisiertes Siliciumcarbid(RSiC) ist ein poröser SiC-Werkstoff mit definierter Porengröße und enger Porenverteilung. Hohe Härte, hohe thermische Beständigkeit, hohe chemische Beständigkeit, Halbleitereigenschaften sowie gute Regenerationsverhalten zeichnen das Material aus.
Entwicklung von gestuften Gefügestrukturen:
Durch gestufte Gefügestrukturen sind hohe Fitrationswirkungsgrade bei geringem Druck und Druckverlust möglich.
Wesentliche Vorteile von gestuften Gefügestrukturen sind hohe Filtration auch im Nanobereich, geringer Druckverlust, hohe Leistung bei geringem Druck, hohe Festigkeit, hohe Durchflußrate bei hoher Filtrationseffizient, partielles Beschichten der grobporigen Einlassschicht.
Entwicklung des Einbrandverfahren:
Aus wirtschaftlichen Gründen wurde das Einbrandverfahren für die beschriebene gestufte Gefügestruktur entwickelt.
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