Dual-gated field-effect transistors made from wafer-scale synthetic few-layer molybdenum disulfide
72nd Device Research Conference. Santa Barbara, CA, USA: IEEE 2014 S. 85 - 86
Erscheinungsjahr: 2014
Publikationstyp: Diverses
Sprache: Englisch
Doi/URN: 10.1109/drc.2014.6872309
| Geprüft: | Bibliothek |
Autoren
Campbell, P. M. (Autor)
Tsai, M.-Y. (Autor)
Hesabi, Z. (Autor)
Feirer, J. (Autor)
Graham, S. (Autor)
Ready, W. J. (Autor)
Vogel, E. M. (Autor)
Klassifikation
DDC Sachgruppe:
Biowissenschaften, Biologie
