Temperature and carrier density dependence of Auger recombination in a 3.4 (micro)m InAs-GaSb-AlSb type-II laser device
Semiconductor science and technology. Bd. 17. H. 10. Bristol: IOP Publ. 2002 S. 1115 - 1122
Erscheinungsjahr: 2002
ISBN/ISSN: 0268-1242
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
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Autoren
Drumm, J.O. (Autor)
Vogelgesang, B. (Autor)
Hoffmann, G. (Autor)
Schwender, C. (Autor)
Herhammer, N. (Autor)
Fouckhardt, H. (Autor)
