Dünnschicht-Solarzellen
Laufzeit: 01.01.2000 - 31.01.2018
Laufzeit: 01.01.2000 - 31.01.2018
Solarzellen auf Basis der Halbleiter-Verbindung CuInSe2 benötigen verglichen mit konventionellen Solarzellen mit kristallinem Silizium nur ein Bruchteil der Schichtdicke des Licht absorbierenden Halbleiters. Zudem lässt sich die Bandlückenenrgie über die Zusammensetzung der Verbindung Cu(In,Ga)(Se,S)2 anpassen. Solche Dünnschicht-Solarzellen gelten als die zweite Generation. Im Zeitraum 2000-2018 wurde der Wissensstand zur chemischen Bildung der Halbleiter-Verbindung und deren Anpassung auf...Solarzellen auf Basis der Halbleiter-Verbindung CuInSe2 benötigen verglichen mit konventionellen Solarzellen mit kristallinem Silizium nur ein Bruchteil der Schichtdicke des Licht absorbierenden Halbleiters. Zudem lässt sich die Bandlückenenrgie über die Zusammensetzung der Verbindung Cu(In,Ga)(Se,S)2 anpassen. Solche Dünnschicht-Solarzellen gelten als die zweite Generation. Im Zeitraum 2000-2018 wurde der Wissensstand zur chemischen Bildung der Halbleiter-Verbindung und deren Anpassung auf die Puffer-Schicht erheblich erweitert. Daran waren im Laufe der Jahre verschiedenen Hochschulen und Firmen beteiligt.
Aufgrund der sich für die Photovoltaik verschlechternden politischen Rahmenbedingungen seit etwa 2010 musste dieses Forschngsprojekt schließlich eingestellt werden. Die Veröffentlichungen finden Sie unter:
https://www.researchgate.net/profile/F_Hergert» weiterlesen» einklappen