Nernst Limit in Dual-Gated Si-Nanowire FET Sensors
Nano Letters. Bd. 10. H. 6. American Chemical Society (ACS) 2010 S. 2268 - 2274
Erscheinungsjahr: 2010
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Doi/URN: 10.1021/nl100892y
| Geprüft: | Bibliothek |
Autoren
Knopfmacher, O. (Autor)
Fu, Wangyang (Autor)
Wipf, M. (Autor)
Niesen, B. (Autor)
Calame, M. (Autor)
Schönenberger, C. (Autor)
Klassifikation
DDC Sachgruppe:
Biowissenschaften, Biologie
