The origin of contrast in the imaging of doped areas in silicon by slow electrons
Journal of applied physics. Bd. 100. H. 9. Melville, NY: AIP 2006 093712
Erscheinungsjahr: 2006
ISBN/ISSN: 0021-8979
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Doi/URN: 10.1063/1.2364044
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Klassifikation
DDC Sachgruppe:
Physik
