Compound formation at the interface of thin In film epitaxially grown on Ni single crystal
Beijing-Shifan-Daxue-xuebao = Journal of Beijing Normal University. Bd. 28. H. 3. Beijing: s.n. 1992 S. 310 - 315
Erscheinungsjahr: 1992
ISBN/ISSN: 0476-0301
Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
| Geprüft: | Bibliothek |
Autoren
Xunliang, Ding (Autor)
Platzer, R. (Autor)
Wöhrmann, U. (Autor)
Fink, R. (Autor)
Krausch, Georg (Autor)
Luckscheiter, B. (Autor)
Voigt, J. (Autor)
Schatz, G. (Autor)
Klassifikation
DDC Sachgruppe:
Physik
